Flash存储技术
在过去的二十年里，ROM和EPROM一直是嵌入式系统的存储设备的首选。但是，今天越来越多的嵌入式系统设计者采用Flash这种可读写的存储设备进行设计开发。
Flash主要分为NOR和NAND两类。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在Flash闪存中运行，而不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。但应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。
但是历经十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。“Flash存储器”便经常与“NOR存储器”互换使用。但NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
下面对二者作较为详细的比较：
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